6-tommers HPSI SiC-substratwafer Silisiumkarbid Halvfornærmende SiC-wafere

De nåværende vekstmetodene for SiC-enkrystall inkluderer hovedsakelig følgende tre: væskefasemetode, høytemperatur kjemisk dampavsetningsmetode og fysisk dampfasetransport (PVT) metode.Blant dem er PVT-metoden den mest undersøkte og modne teknologien for SiC enkeltkrystallvekst, og dens tekniske vanskeligheter er:

(1) SiC enkeltkrystall i den høye temperaturen på 2300 ° C over det lukkede grafittkammeret for å fullføre omkrystalliseringsprosessen for "fast - gass - fast" omdannelse, vekstsyklusen er lang, vanskelig å kontrollere og utsatt for mikrotubuli, inneslutninger og andre defekter.

(2) Silisiumkarbid enkeltkrystall, inkludert mer enn 200 forskjellige krystalltyper, men produksjon av generelt bare en krystalltype, lett å produsere krystalltypetransformasjon i vekstprosessen som resulterer i multi-type inneslutningsdefekter, forberedelsesprosessen av en enkelt spesifikke krystall type er vanskelig å kontrollere stabiliteten av prosessen, for eksempel den nåværende mainstream av 4H-type.

(3) Silisiumkarbid enkeltkrystallvekst termisk felt er det en temperaturgradient, noe som resulterer i krystallvekstprosessen er det en naturlig intern stress og de resulterende dislokasjoner, feil og andre defekter indusert.

(4) Enkeltkrystallvekstprosessen av silisiumkarbid må strengt kontrollere innføringen av eksterne urenheter, for å oppnå en halvisolerende krystall med svært høy renhet eller retningsdopet ledende krystall.For de halvisolerende silisiumkarbidsubstratene som brukes i RF-enheter, må de elektriske egenskapene oppnås ved å kontrollere den svært lave urenhetskonsentrasjonen og spesifikke typer punktdefekter i krystallen.