4 tommer Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
applikasjoner
● Vekstsubstrat for III-V og II-VI forbindelser.
● Elektronikk og optoelektronikk.
● IR-applikasjoner.
● Silicon On Sapphire Integrated Circuit (SOS).
● Radio Frequency Integrated Circuit (RFIC).
I LED-produksjon brukes safirskiver som et substrat for veksten av galliumnitrid (GaN) krystaller, som avgir lys når en elektrisk strøm påføres.Safir er et ideelt substratmateriale for GaN-vekst fordi det har en lignende krystallstruktur og termisk ekspansjonskoeffisient som GaN, som minimerer defekter og forbedrer krystallkvaliteten.
I optikk brukes safirskiver som vinduer og linser i høytrykks- og høytemperaturmiljøer, så vel som i infrarøde bildesystemer, på grunn av deres høye gjennomsiktighet og hardhet.
Spesifikasjon
| Punkt | 4-tommers C-plane(0001) 650μm safirskiver | |
| Krystallmaterialer | 99,999 %, høy renhet, monokrystallinsk Al2O3 | |
| Karakter | Prime, Epi-Ready | |
| Overflateorientering | C-plan (0001) | |
| C-planets avvinkel mot M-aksen 0,2 +/- 0,1° | ||
| Diameter | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Tykkelse | 650 μm +/- 25 μm | |
| Primær flat orientering | A-plan (11-20) +/- 0,2° | |
| Primær flat lengde | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Enkel side polert | Frontoverflate | Epi-polert, Ra < 0,2 nm (av AFM) |
| (SSP) | Bakoverflate | Fin jord, Ra = 0,8 μm til 1,2 μm |
| Dobbel side polert | Frontoverflate | Epi-polert, Ra < 0,2 nm (av AFM) |
| (DSP) | Bakoverflate | Epi-polert, Ra < 0,2 nm (av AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BUE | < 20 μm | |
| VARP | < 20 μm | |
| Rengjøring / Emballasje | Klasse 100 renromsrengjøring og vakuumpakking, | |
| 25 stykker i en kassettemballasje eller ett stykke emballasje. | ||
Pakking og frakt
Generelt sett gir vi pakken med 25 stk kassetteske;vi kan også pakke med en enkelt oblatbeholder under 100 klasse rengjøringsrom i henhold til kundens krav.
Detaljert diagram
