50,8 mm/100 mm AlN mal på NPSS/FSS AlN mal på safir

Kort beskrivelse:

AlN-On-Sapphire refererer til en kombinasjon av materialer der aluminiumnitridfilmer dyrkes på Sapphire-substrater.I denne strukturen kan høykvalitets aluminiumnitridfilm dyrkes ved kjemisk dampavsetning (CVD) eller organometrisk kjemisk dampavsetning (MOCVD), som gjør at aluminiumnitridfilmen og safirsubstratet har en god kombinasjon.Fordelene med denne strukturen er at aluminiumnitrid har høy varmeledningsevne, høy kjemisk stabilitet og utmerkede optiske egenskaper, mens safirsubstrat har utmerkede mekaniske og termiske egenskaper og gjennomsiktighet.


Produkt detalj

Produktetiketter

AlN-On-Sapphire

AlN-On-Sapphire kan brukes til å lage en rekke fotoelektriske enheter, for eksempel:
1. LED-brikker: LED-brikker er vanligvis laget av aluminiumnitridfilmer og andre materialer.Effektiviteten og stabiliteten til lysdioder kan forbedres ved å bruke AlN-On-Sapphire wafere som underlag for LED-brikker.
2. Lasere: AlN-On-Sapphire wafere kan også brukes som substrater for lasere, som ofte brukes i medisinsk, kommunikasjons- og materialbehandling.
3. Solceller: Fremstillingen av solceller krever bruk av materialer som aluminiumnitrid.AlN-On-Sapphire som underlag kan forbedre effektiviteten og levetiden til solceller.
4. Andre optoelektroniske enheter: AlN-On-Sapphire wafere kan også brukes til å produsere fotodetektorer, optoelektroniske enheter og andre optoelektroniske enheter.

Avslutningsvis er AlN-On-Sapphire wafere mye brukt i det opto-elektriske feltet på grunn av deres høye termiske ledningsevne, høye kjemiske stabilitet, lave tap og utmerkede optiske egenskaper.

50,8 mm/100 mm AlN-mal på NPSS/FSS

Punkt Merknader
Beskrivelse AlN-på-NPSS-mal AlN-på-FSS-mal
Wafer diameter 50,8 mm, 100 mm
Substrat c-plan NPSS c-plane Planar Sapphire (FSS)
Substrattykkelse 50,8 mm, 100 mmc-plan Planar Sapphire (FSS) 100 mm : 650 um
Tykkelse av AIN epi-lag 3~4 um (mål: 3,3 um)
Konduktivitet Isolerende

Flate

Som voksen
RMS <1nm RMS <2nm
Bakside Kvernet
FWHM(002)XRC < 150 buesek < 150 buesek
FWHM(102)XRC < 300 buesek < 300 buesek
Kantekskludering < 2 mm < 3 mm
Primær flat orientering a-plan +0,1°
Primær flat lengde 50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm
Pakke Pakket i forsendelsesboks eller enkelt oblatbeholder

Detaljert diagram

FSS AlN mal på sapphire3
FSS AlN mal på sapphire4

  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss