50,8 mm 2 tommer GaN på safir Epi-lags wafer
Påføring av galliumnitrid GaN epitaksialplate
Basert på ytelsen til galliumnitrid, er galliumnitrid-epitaksiale brikker hovedsakelig egnet for bruk med høy effekt, høy frekvens og lavspenning.
Det gjenspeiles i:
1) Høyt båndgap: Høyt båndgap forbedrer spenningsnivået til galliumnitridenheter og kan gi høyere effekt enn galliumarsenidenheter, som er spesielt egnet for 5G kommunikasjonsbasestasjoner, militær radar og andre felt;
2) Høy konverteringseffektivitet: på-motstanden til elektroniske enheter for galliumnitrid-svitsjing er 3 størrelsesordener lavere enn for silisiumenheter, noe som kan redusere tapet ved svitsjing betydelig;
3) Høy termisk ledningsevne: den høye termiske ledningsevnen til galliumnitrid gjør at den har utmerket varmeavledningsytelse, egnet for produksjon av høyeffekt, høy temperatur og andre områder av enheter;
4) Sammenbrudd elektrisk feltstyrke: Selv om nedbrytningen av elektrisk feltstyrke for galliumnitrid er nær den for silisiumnitrid, på grunn av halvlederprosess, materialgittermismatch og andre faktorer, er spenningstoleransen til galliumnitridenheter vanligvis omtrent 1000V, og sikker bruksspenning er vanligvis under 650V.
| Punkt | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Dimensjoner | e 50,8 mm ± 0,1 mm | ||
| Tykkelse | 4,5±0,5 um | 4,5±0,5um | |
| Orientering | C-plan (0001) ±0,5° | ||
| Ledningstype | N-type (udopet) | N-type (Si-dopet) | P-type (Mg-dopet) |
| Resistivitet (3O0K) | < 0,5 Q·cm | < 0,05 Q·cm | ~ 10 Q・cm |
| Carrier Konsentrasjon | < 5x1017cm-3 | > 1x1018cm-3 | > 6x1016 cm-3 |
| Mobilitet | ~300 cm2/Vs | ~200 cm2/Vs | ~10 cm2/Vs |
| Dislokasjonstetthet | Mindre enn 5x108cm-2(beregnet av FWHMs av XRD) | ||
| Substratstruktur | GaN på Sapphire (Standard: SSP-alternativ: DSP) | ||
| Brukbart overflateareal | > 90 % | ||
| Pakke | Pakket i et klasse 100 renromsmiljø, i kassetter med 25 stk eller enkle waferbeholdere, under nitrogenatmosfære. | ||
* Annen tykkelse kan tilpasses
Detaljert diagram
