200 mm 8 tommer GaN på safir Epi-layer wafer substrat
Produkt introduksjon
8-tommers GaN-on-Sapphire-substratet er et høykvalitets halvledermateriale sammensatt av et Gallium Nitride (GaN)-lag dyrket eller et safirsubstrat.Dette materialet tilbyr utmerkede elektroniske transportegenskaper og er ideelt for fremstilling av høyeffekt- og høyfrekvente halvlederenheter.
Fremstillingsmetode
Produksjonsprosessen involverer epitaksial vekst av et GaN-lag på et safirsubstrat ved bruk av avanserte teknikker som metall-organisk kjemisk dampavsetning (MOCVD) eller molekylær stråleepitaksi (MBE).Avsetningen utføres under kontrollerte forhold for å sikre høy krystallkvalitet og filmensartethet.
applikasjoner
8-tommers GaN-on-Sapphire-substratet finner omfattende bruksområder innen forskjellige felt, inkludert mikrobølgekommunikasjon, radarsystemer, trådløs teknologi og optoelektronikk.Noen av de vanlige applikasjonene inkluderer:
1. RF effektforsterkere
2. LED-belysningsindustrien
3. Trådløse nettverkskommunikasjonsenheter
4. Elektroniske enheter for høytemperaturmiljøer
5. Optoelektroniske enheter
Produktspesifikasjoner
-Dimensjon: Substratstørrelsen er 200 mm i diameter.
- Overflatekvalitet: Overflaten er polert til en høy grad av glatthet og viser utmerket speillignende kvalitet.
- Tykkelse: GaN-lagtykkelsen kan tilpasses basert på spesifikke krav.
- Emballasje: Underlaget er nøye pakket i antistatiske materialer for å forhindre skade under transport.
- Orientering Flat: Substratet har en spesifikk orientering flat for å hjelpe til med waferjustering og håndtering under enhetens fabrikasjonsprosesser.
- Andre parametere: Spesifikasjonene for tykkelse, resistivitet og dopingmiddelkonsentrasjon kan skreddersys i henhold til kundens krav.
Med sine overlegne materialegenskaper og allsidige bruksområder er 8-tommers GaN-on-Sapphire-substratet et pålitelig valg for utvikling av høyytelses halvlederenheter i ulike bransjer.
Bortsett fra GaN-On-Sapphire, kan vi også tilby innen kraftenhetsapplikasjoner, produktfamilien inkluderer 8-tommers AlGaN/GaN-on-Si epitaksiale wafere og 8-tommers P-cap AlGaN/GaN-on-Si epitaksial oblater.Samtidig innoverte vi bruken av sin egen avanserte 8-tommers GaN-epitaksiteknologi i mikrobølgefeltet, og utviklet en 8-tommers AlGaN/GAN-on-HR Si-epitaksi-wafer som kombinerer høy ytelse med stor størrelse, lave kostnader og kompatibel med standard 8-tommers enhetsbehandling.I tillegg til silisiumbasert galliumnitrid, har vi også en produktlinje med AlGaN/GaN-on-SiC epitaksiale wafere for å møte kundenes behov for silisiumbaserte galliumnitrid epitaksiale materialer.
Detaljert diagram
