HPSI SiC-wafer ≥90 % transmittans optisk kvalitet for AI/AR-briller

Kort beskrivelse:

Parameter	Karakter	4-tommers underlag	6-tommers underlag
Diameter	Z-klasse / D-klasse	99,5 mm–100,0 mm	149,5 mm–150,0 mm
Polytype	Z-klasse / D-klasse	4H	4H
Tykkelse	Z-klasse	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Tykkelse	D-klasse	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Waferorientering	Z-klasse / D-klasse	På aksen: <0001> ± 0,5°	På aksen: <0001> ± 0,5°
Mikrorørtetthet	Z-klasse	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Mikrorørtetthet	D-klasse	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Resistivitet	Z-klasse	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Resistivitet	D-klasse	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm

Send e-post til oss

Funksjoner

Kjerneinnledning: Rollen til HPSI SiC-wafere i AI/AR-briller

HPSI (High-Purity Semi-Insulating) silisiumkarbidwafere er spesialiserte wafere som kjennetegnes av høy resistivitet (>10⁹ Ω·cm) og ekstremt lav defekttetthet. I AI/AR-briller fungerer de primært som kjernesubstratmateriale for diffraktive optiske bølgelederlinser, og adresserer flaskehalser forbundet med tradisjonelle optiske materialer når det gjelder tynne og lette formfaktorer, varmespredning og optisk ytelse. For eksempel kan AR-briller som bruker SiC-bølgelederlinser oppnå et ultrabredt synsfelt (FOV) på 70°–80°, samtidig som tykkelsen på et enkelt linselag reduseres til bare 0,55 mm og vekten til bare 2,7 g, noe som forbedrer brukerkomforten og den visuelle fordypningen betydelig.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_副本_副本

Viktige egenskaper: Hvordan SiC-materiale styrker design av AI/AR-briller

Høy brytningsindeks og optimalisering av optisk ytelse

Brytningsindeksen til SiC (2,6–2,7) er nesten 50 % høyere enn for tradisjonelt glass (1,8–2,0). Dette gir tynnere og mer effektive bølgelederstrukturer, noe som utvider synsfeltet betydelig. Den høye brytningsindeksen bidrar også til å undertrykke «regnbueeffekten» som er vanlig i diffraktive bølgeledere, noe som forbedrer bildets renhet.

Eksepsjonell termisk styringskapasitet

Med en varmeledningsevne på opptil 490 W/m·K (nær kobbers varmeledningsevne), kan SiC raskt avlede varme generert av Micro-LED-skjermmoduler. Dette forhindrer ytelsesforringelse eller aldring av enheten på grunn av høye temperaturer, noe som sikrer lang batterilevetid og høy stabilitet.

Mekanisk styrke og holdbarhet

SiC har en Mohs-hardhet på 9,5 (nest etter diamant), og tilbyr eksepsjonell ripebestandighet, noe som gjør den ideell for ofte brukte forbrukerglass. Overflateruheten kan kontrolleres til Ra < 0,5 nm, noe som sikrer lavt tap og svært jevn lysgjennomgang i bølgeledere.

Elektrisk egenskapskompatibilitet

HPSI SiCs resistivitet (>10⁹ Ω·cm) bidrar til å forhindre signalforstyrrelser. Det kan også tjene som et effektivt materiale for strømforsyning, og optimaliserer strømstyringsmodulene i AR-briller.

Primære applikasjonsinstruksjoner

Kjerneoptiske komponenter for AI/AR-brillers

Diffraktive bølgelederlinser: SiC-substrater brukes til å lage ultratynne optiske bølgeledere som støtter stort synsfelt og eliminerer regnbueeffekten.
Vindusplater og prismer: Gjennom tilpasset skjæring og polering kan SiC bearbeides til beskyttende vinduer eller optiske prismer for AR-briller, noe som forbedrer lysgjennomgang og slitestyrke.

Utvidede applikasjoner i andre felt

Kraftelektronikk: Brukes i høyfrekvente og høyeffektsscenarioer som nye energiomformere for kjøretøy og industrielle motorstyringer.
Kvanteoptikk: Fungerer som en vert for fargesentre, brukt i substrater for kvantekommunikasjon og sensorer.

Sammenligning av spesifikasjoner for 4-tommers og 6-tommers HPSI SiC-substrat

Parameter	Karakter	4-tommers underlag	6-tommers underlag
Diameter	Z-klasse / D-klasse	99,5 mm–100,0 mm	149,5 mm–150,0 mm
Polytype	Z-klasse / D-klasse	4H	4H
Tykkelse	Z-klasse	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Tykkelse	D-klasse	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Waferorientering	Z-klasse / D-klasse	På aksen: <0001> ± 0,5°	På aksen: <0001> ± 0,5°
Mikrorørtetthet	Z-klasse	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Mikrorørtetthet	D-klasse	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Resistivitet	Z-klasse	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Resistivitet	D-klasse	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Primær flat orientering	Z-klasse / D-klasse	(10-10) ± 5,0°	(10-10) ± 5,0°
Primær flat lengde	Z-klasse / D-klasse	32,5 mm ± 2,0 mm	Hakk
Sekundær flat lengde	Z-klasse / D-klasse	18,0 mm ± 2,0 mm	-
Kantekskludering	Z-klasse / D-klasse	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Bue / Varp	Z-klasse	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Bue / Varp	D-klasse	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Ruhet	Z-klasse	Polsk Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polsk Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
Ruhet	D-klasse	Polsk Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polsk Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Kantsprekker	D-klasse	Kumulativt areal ≤ 0,1 %	Kumulativ lengde ≤ 20 mm, enkel ≤ 2 mm
Polytypiske områder	D-klasse	Kumulativt areal ≤ 0,3 %	Kumulativt areal ≤ 3 %
Visuelle karboninneslutninger	Z-klasse	Kumulativt areal ≤ 0,05 %	Kumulativt areal ≤ 0,05 %
Visuelle karboninneslutninger	D-klasse	Kumulativt areal ≤ 0,3 %	Kumulativt areal ≤ 3 %
Riper på silisiumoverflaten	D-klasse	5 tillatt, hver ≤1 mm	Kumulativ lengde ≤ 1 x diameter
Kantflis	Z-klasse	Ingen tillatt (bredde og dybde ≥0,2 mm)	Ingen tillatt (bredde og dybde ≥0,2 mm)
Kantflis	D-klasse	7 tillatt, hver ≤1 mm	7 tillatt, hver ≤1 mm
Gjengeskrueforskyvning	Z-klasse	-	≤ 500 cm²
Emballasje	Z-klasse / D-klasse	Multi-wafer kassett eller enkelt wafer beholder	Multi-wafer kassett eller enkelt wafer beholder

XKH-tjenester: Integrerte produksjons- og tilpasningsmuligheter

XKH-selskapet har vertikal integrasjonskapasitet fra råvarer til ferdige wafere, og dekker hele kjeden av SiC-substratvekst, skjæring, polering og tilpasset prosessering. Viktige tjenestefordeler inkluderer:

Materialmangfold:Vi kan tilby ulike wafertyper som 4H-N-typen, 4H-HPSI-typen, 4H/6H-P-typen og 3C-N-typen. Resistivitet, tykkelse og orientering kan justeres etter behov.
.Fleksibel størrelsestilpasning:Vi støtter waferprosessering fra 2 tommer til 12 tommer i diameter, og kan også behandle spesielle strukturer som firkantede stykker (f.eks. 5 x 5 mm, 10 x 10 mm) og uregelmessige prismer.
Optisk presisjonskontroll:Waferens totale tykkelsesvariasjon (TTV) kan opprettholdes på <1 μm, og overflateruhet på Ra < 0,3 nm, noe som oppfyller kravene til flathet på nanonivå for bølgelederenheter.
Rask markedsrespons:Den integrerte forretningsmodellen sikrer effektiv overgang fra FoU til masseproduksjon, og støtter alt fra verifisering av små partier til store forsendelser (leveringstid vanligvis 15–40 dager).

Vanlige spørsmål om HPSI SiC-wafer

Q1: Hvorfor regnes HPSI SiC som et ideelt materiale for AR-bølgelederlinser?
A1: Den høye brytningsindeksen (2,6–2,7) muliggjør tynnere og mer effektive bølgelederstrukturer som støtter et større synsfelt (f.eks. 70°–80°) samtidig som de eliminerer «regnbueeffekten».
Spørsmål 2: Hvordan forbedrer HPSI SiC varmestyringen i AI/AR-briller?
A2: Med en varmeledningsevne på opptil 490 W/m·K (nær kobber), avleder den effektivt varme fra komponenter som Micro-LED-er, noe som sikrer stabil ytelse og lengre levetid for enheten.
Spørsmål 3: Hvilke holdbarhetsfordeler tilbyr HPSI SiC for bærbare briller?
A3: Den eksepsjonelle hardheten (Mohs 9.5) gir overlegen ripebestandighet, noe som gjør den svært slitesterk for daglig bruk i AR-briller av forbrukerkvalitet.