6 tommer GaN-On-Sapphire
150 mm 6 tommer GaN på silisium/safir/SiC Epi-lags wafer Galliumnitrid epitaksial wafer
Den 6-tommers safirsubstratplaten er et høykvalitets halvledermateriale som består av lag med galliumnitrid (GaN) dyrket på et safirsubstrat.Materialet har utmerkede elektroniske transportegenskaper og er ideelt for produksjon av høyeffekts og høyfrekvente halvlederenheter.
Fremstillingsmetode: Produksjonsprosessen involverer dyrking av GaN-lag på et safirsubstrat ved bruk av avanserte teknikker som metall-organisk kjemisk dampavsetning (MOCVD) eller molekylær stråleepitaksi (MBE).Avsetningsprosessen utføres under kontrollerte forhold for å sikre høy krystallkvalitet og jevn film.
6-tommers GaN-On-Sapphire-applikasjoner: 6-tommers safirsubstratbrikker er mye brukt i mikrobølgekommunikasjon, radarsystemer, trådløs teknologi og optoelektronikk.
Noen vanlige applikasjoner inkluderer
1. Rf effektforsterker
2. LED-belysningsindustrien
3. Trådløst nettverkskommunikasjonsutstyr
4. Elektroniske enheter i høytemperaturmiljø
5. Optoelektroniske enheter
Produktspesifikasjoner
- Størrelse: Substratdiameteren er 6 tommer (ca. 150 mm).
- Overflatekvalitet: Overflaten er finpolert for å gi utmerket speilkvalitet.
- Tykkelse: Tykkelsen på GaN-laget kan tilpasses i henhold til spesifikke krav.
- Emballasje: Underlaget er nøye pakket med antistatiske materialer for å forhindre skade under transport.
- Posisjoneringskanter: Underlaget har spesifikke posisjoneringskanter som letter justering og drift under klargjøring av enheten.
- Andre parametere: Spesifikke parametere som tynnhet, resistivitet og dopingkonsentrasjon kan justeres i henhold til kundens krav.
Med sine overlegne materialegenskaper og forskjellige bruksområder er 6-tommers safirsubstratskiver et pålitelig valg for utvikling av høyytelses halvlederenheter i ulike bransjer.
| Substrat | 6” 1 mm <111> p-type Si | 6” 1 mm <111> p-type Si |
| Epi ThickGj.sn | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2 % | <2 % |
| Bue | +/-45um | +/-45um |
| Sprekker | <5 mm | <5 mm |
| Vertikal BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25–35 % | 25–35 % |
| HEMT tykkGj.sn | 20-30nm | 20-30nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60nm | 5-60nm |
| 2° kons. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilitet | ~2000 cm2/Vs (<2 %) | ~2000 cm2/Vs (<2 %) |
| Rsh | <330 ohm/sq (<2 %) | <330 ohm/sq (<2 %) |
Detaljert diagram
