4H-N 8 tommer SiC substrat wafer Silisiumkarbid Dummy Research grade 500um tykkelse

4H-N 8 tommer SiC substrat wafer Silicon Carbide Dummy Research grade 500um tykkelse Utvalgt bilde

Kort beskrivelse:

Silisiumkarbidskiver brukes i elektroniske enheter som strømdioder, MOSFET-er, høyeffekts mikrobølgeenheter og RF-transistorer, noe som muliggjør effektiv energikonvertering og strømstyring. SiC-skiver og -substrater finner også bruk i bilelektronikk, romfartssystemer og fornybar energiteknologi.

Send e-post til oss

Produktdetaljer

Produktetiketter

Hvordan velger du silisiumkarbidskiver og SiC-substrater?

Når du velger silisiumkarbid (SiC) wafere og underlag, er det flere faktorer å vurdere. Her er noen viktige kriterier:

Materialtype: Bestem hvilken type SiC-materiale som passer din applikasjon, for eksempel 4H-SiC eller 6H-SiC. Den mest brukte krystallstrukturen er 4H-SiC.

Dopingtype: Bestem om du trenger et dopet eller udopet SiC-substrat. Vanlige dopingtyper er N-type (n-dopet) eller P-type (p-dopet), avhengig av dine spesifikke krav.

Krystallkvalitet: Vurder krystallkvaliteten til SiC-skivene eller substratene. Ønsket kvalitet bestemmes av parametere som antall defekter, krystallografisk orientering og overflateruhet.

Wafer Diameter: Velg passende wafer-størrelse basert på applikasjonen din. Vanlige størrelser inkluderer 2 tommer, 3 tommer, 4 tommer og 6 tommer. Jo større diameter, jo mer utbytte kan du oppnå per wafer.

Tykkelse: Vurder ønsket tykkelse på SiC-skivene eller substratene. Typiske tykkelsesalternativer varierer fra noen få mikrometer til flere hundre mikrometer.

Orientering: Bestem den krystallografiske orienteringen som stemmer overens med applikasjonens krav. Vanlige orienteringer inkluderer (0001) for 4H-SiC og (0001) eller (0001̅) for 6H-SiC.

Overflatefinish: Evaluer overflatefinishen til SiC-platene eller underlagene. Overflaten skal være glatt, polert og fri for riper eller forurensninger.

Leverandøromdømme: Velg en anerkjent leverandør med lang erfaring i å produsere høykvalitets SiC-skiver og -substrater. Vurder faktorer som produksjonsevne, kvalitetskontroll og kundeanmeldelser.

Kostnad: Vurder kostnadsimplikasjonene, inkludert prisen per skive eller substrat og eventuelle tilleggsutgifter til tilpasning.

Det er viktig å nøye vurdere disse faktorene og konsultere med bransjeeksperter eller leverandører for å sikre at de valgte SiC-platene og -substratene oppfyller dine spesifikke brukskrav.