4H-N 8-tommers SiC-substratwafer Silisiumkarbid-dummy Forskningskvalitet 500 µm tykkelse
Hvordan velger du silisiumkarbidskiver og SiC-substrater?
Når du velger silisiumkarbid (SiC)-skiver og substrater, er det flere faktorer å vurdere. Her er noen viktige kriterier:
Materialtype: Bestem hvilken type SiC-materiale som passer til bruksområdet ditt, for eksempel 4H-SiC eller 6H-SiC. Den mest brukte krystallstrukturen er 4H-SiC.
Dopingtype: Bestem om du trenger et dopet eller udopet SiC-substrat. Vanlige dopingtyper er N-type (n-dopet) eller P-type (p-dopet), avhengig av dine spesifikke krav.
Krystallkvalitet: Vurder krystallkvaliteten til SiC-skivene eller -substratene. Ønsket kvalitet bestemmes av parametere som antall defekter, krystallografisk orientering og overflateruhet.
Waferdiameter: Velg riktig waferstørrelse basert på bruksområdet ditt. Vanlige størrelser inkluderer 2 tommer, 3 tommer, 4 tommer og 6 tommer. Jo større diameter, desto mer utbytte kan du oppnå per wafer.
Tykkelse: Vurder ønsket tykkelse på SiC-skivene eller -substratene. Typiske tykkelsesalternativer varierer fra noen få mikrometer til flere hundre mikrometer.
Orientering: Bestem den krystallografiske orienteringen som samsvarer med kravene til applikasjonen din. Vanlige orienteringer inkluderer (0001) for 4H-SiC og (0001) eller (0001̅) for 6H-SiC.
Overflatefinish: Evaluer overflatefinishen til SiC-skivene eller -substratene. Overflaten skal være glatt, polert og fri for riper eller forurensninger.
Leverandørens omdømme: Velg en anerkjent leverandør med lang erfaring i produksjon av SiC-wafere og -substrater av høy kvalitet. Vurder faktorer som produksjonskapasitet, kvalitetskontroll og kundeanmeldelser.
Kostnad: Vurder kostnadsimplikasjonene, inkludert prisen per wafer eller substrat og eventuelle ekstra tilpasningskostnader.
Det er viktig å vurdere disse faktorene nøye og konsultere med bransjeeksperter eller leverandører for å sikre at de valgte SiC-skivene og substratene oppfyller dine spesifikke applikasjonskrav.
Detaljert diagram



