4H-N 8-tommers SiC-substratwafer Silisiumkarbid-dummy Forskningskvalitet 500 µm tykkelse

Kort beskrivelse:

Silisiumkarbidskiver brukes i elektroniske enheter som effektdioder, MOSFET-er, høyeffektsmikrobølgeenheter og RF-transistorer, noe som muliggjør effektiv energiomforming og strømstyring. SiC-skiver og -substrater finner også bruk i bilelektronikk, luftfartssystemer og fornybar energiteknologi.


Produktdetaljer

Produktetiketter

Hvordan velger du silisiumkarbidskiver og SiC-substrater?

Når du velger silisiumkarbid (SiC)-skiver og substrater, er det flere faktorer å vurdere. Her er noen viktige kriterier:

Materialtype: Bestem hvilken type SiC-materiale som passer til bruksområdet ditt, for eksempel 4H-SiC eller 6H-SiC. Den mest brukte krystallstrukturen er 4H-SiC.

Dopingtype: Bestem om du trenger et dopet eller udopet SiC-substrat. Vanlige dopingtyper er N-type (n-dopet) eller P-type (p-dopet), avhengig av dine spesifikke krav.

Krystallkvalitet: Vurder krystallkvaliteten til SiC-skivene eller -substratene. Ønsket kvalitet bestemmes av parametere som antall defekter, krystallografisk orientering og overflateruhet.

Waferdiameter: Velg riktig waferstørrelse basert på bruksområdet ditt. Vanlige størrelser inkluderer 2 tommer, 3 tommer, 4 tommer og 6 tommer. Jo større diameter, desto mer utbytte kan du oppnå per wafer.

Tykkelse: Vurder ønsket tykkelse på SiC-skivene eller -substratene. Typiske tykkelsesalternativer varierer fra noen få mikrometer til flere hundre mikrometer.

Orientering: Bestem den krystallografiske orienteringen som samsvarer med kravene til applikasjonen din. Vanlige orienteringer inkluderer (0001) for 4H-SiC og (0001) eller (0001̅) for 6H-SiC.

Overflatefinish: Evaluer overflatefinishen til SiC-skivene eller -substratene. Overflaten skal være glatt, polert og fri for riper eller forurensninger.

Leverandørens omdømme: Velg en anerkjent leverandør med lang erfaring i produksjon av SiC-wafere og -substrater av høy kvalitet. Vurder faktorer som produksjonskapasitet, kvalitetskontroll og kundeanmeldelser.

Kostnad: Vurder kostnadsimplikasjonene, inkludert prisen per wafer eller substrat og eventuelle ekstra tilpasningskostnader.

Det er viktig å vurdere disse faktorene nøye og konsultere med bransjeeksperter eller leverandører for å sikre at de valgte SiC-skivene og substratene oppfyller dine spesifikke applikasjonskrav.

Detaljert diagram

4H-N 8-tommers SiC-substratwafer Silisiumkarbid-dummy Forskningskvalitet 500 µm tykkelse (1)
4H-N 8-tommers SiC-substratwafer Silisiumkarbid-dummy Forskningskvalitet 500 µm tykkelse (2)
4H-N 8-tommers SiC-substratwafer Silisiumkarbid-dummy Forskningskvalitet 500 µm tykkelse (3)
4H-N 8-tommers SiC-substratwafer Silisiumkarbid-dummy Forskningskvalitet 500 µm tykkelse (4)

  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv meldingen din her og send den til oss