Silisium-på-isolatorsubstrat SOI-wafer tre lag for mikroelektronikk og radiofrekvens

Silicon-On-Insulator Substrate SOI wafer tre lag for mikroelektronikk og radiofrekvens Utvalgt bilde

Kort beskrivelse:

SOI fullt navn Silicon On Insulator, er betydningen av silisium transistor struktur på toppen av isolatoren, prinsippet er mellom silisium transistoren, legg til isolatormateriale, kan gjøre den parasittiske kapasitansen mellom de to enn den opprinnelige mindre enn dobbel.

Send e-post til oss

Produktdetaljer

Produktetiketter

Introduser oblatboks

Vi introduserer vår avanserte Silicon-On-Insulator (SOI) wafer, omhyggelig konstruert med tre distinkte lag, som revolusjonerer mikroelektronikk og radiofrekvensapplikasjoner (RF). Dette innovative substratet kombinerer et toppsilisiumlag, et isolerende oksidlag og et bunnsilisiumsubstrat for å levere uovertruffen ytelse og allsidighet.

Designet for kravene til moderne mikroelektronikk, gir vår SOI-wafer et solid grunnlag for fremstilling av intrikate integrerte kretser (IC) med overlegen hastighet, strømeffektivitet og pålitelighet. Det øverste silisiumlaget muliggjør sømløs integrasjon av komplekse elektroniske komponenter, mens det isolerende oksidlaget minimerer parasittisk kapasitans, og forbedrer enhetens generelle ytelse.

Innenfor RF-applikasjoner utmerker vår SOI wafer seg med sin lave parasittiske kapasitans, høye sammenbruddsspenning og utmerkede isolasjonsegenskaper. Ideell for RF-svitsjer, forsterkere, filtre og andre RF-komponenter, sikrer dette substratet optimal ytelse i trådløse kommunikasjonssystemer, radarsystemer og mer.

Dessuten gjør den iboende strålingstoleransen til vår SOI wafer den ideell for romfarts- og forsvarsapplikasjoner, hvor pålitelighet i tøffe miljøer er avgjørende. Dens robuste konstruksjon og eksepsjonelle ytelsesegenskaper garanterer jevn drift selv under ekstreme forhold.

Nøkkelfunksjoner:

Trelagsarkitektur: Toppsilisiumlag, isolerende oksidlag og silisiumunderlag nederst.

Overlegen mikroelektronikk-ytelse: Muliggjør fabrikasjon av avanserte IC-er med forbedret hastighet og strømeffektivitet.

Utmerket RF-ytelse: Lav parasittisk kapasitans, høy sammenbruddsspenning og overlegne isolasjonsegenskaper for RF-enheter.

Aerospace-grade-pålitelighet: Iboende strålingstoleranse sikrer pålitelighet i tøffe miljøer.

Allsidige bruksområder: Egnet for et bredt spekter av bransjer, inkludert telekommunikasjon, romfart, forsvar og mer.

Opplev neste generasjon av mikroelektronikk og RF-teknologi med vår avanserte Silicon-On-Insulator (SOI) wafer. Lås opp nye muligheter for innovasjon og driv fremgang i applikasjonene dine med vår banebrytende substratløsning.