Produkter
-
6-tommers HPSI SiC-substratwafer Silisiumkarbid Halvfornærmende SiC-wafere
-
4-tommers halvfornærmende SiC-skiver HPSI SiC-substrat Prime Production-kvalitet
-
3 tommer 76,2 mm 4H-Semi SiC substratwafer Silisiumkarbid Halvfornærmende SiC-wafere
-
3 tommer Dia76,2 mm SiC-substrater HPSI Prime Research og Dummy-kvalitet
-
4H-semi HPSI 2-tommers SiC-substratwafer Production Dummy Research grade
-
2 tommers SiC-skiver 6H eller 4H halvisolerende SiC-underlag Dia50,8 mm
-
8 tommer 200 mm safir substrat safir wafer tynn tykkelse 1SP 2SP 0,5 mm 0,75 mm
-
Enkeltkrystall Al2O3 99,999 % Dia200 mm safirskiver 1,0 mm 0,75 mm tykkelse
-
Elektrode Sapphire Substrate og Wafer C-plane LED Substrate
-
156 mm 159 mm 6 tommer Sapphire Wafer for carrierC-Plane DSP TTV
-
Dia101,6 mm 4 tommer M-plan safirsubstrater Wafer LED-substrater tykkelse 500um
-
C/A/M-akse 4 tommers safirskiver enkeltkrystall Al2O3, SSP DSP safirsubstrat med høy hardhet