Gallium Nitride (GaN) Epitaksial dyrket på safirskiver 4 tommer 6 tommer for MEMS
Egenskaper til GaN på Sapphire Wafere
●Høy effektivitet:GaN-baserte enheter gir fem ganger mer strøm enn silisiumbaserte enheter, og forbedrer ytelsen i ulike elektroniske applikasjoner, inkludert RF-forsterkning og optoelektronikk.
●Bredt båndgap:Det brede båndgapet til GaN muliggjør høy effektivitet ved høye temperaturer, noe som gjør den ideell for bruk med høy effekt og høy frekvens.
● Holdbarhet:GaNs evne til å håndtere ekstreme forhold (høye temperaturer og stråling) sikrer langvarig ytelse i tøffe miljøer.
●Liten størrelse:GaN tillater produksjon av mer kompakte og lette enheter sammenlignet med tradisjonelle halvledermaterialer, noe som muliggjør mindre og kraftigere elektronikk.
Abstrakt
Gallium Nitride (GaN) dukker opp som den foretrukne halvlederen for avanserte applikasjoner som krever høy kraft og effektivitet, som RF-frontmoduler, høyhastighetskommunikasjonssystemer og LED-belysning. GaN epitaksiale wafere, når de dyrkes på safirsubstrater, tilbyr en kombinasjon av høy termisk ledningsevne, høy nedbrytningsspenning og bred frekvensrespons, som er nøkkelen for optimal ytelse i trådløse kommunikasjonsenheter, radarer og jammere. Disse skivene er tilgjengelige i både 4-tommers og 6-tommers diametere, med varierende GaN-tykkelser for å møte ulike tekniske krav. GaNs unike egenskaper gjør den til en førsteklasses kandidat for fremtidens kraftelektronikk.
Produktparametere
| Produktfunksjon | Spesifikasjon |
| Wafer Diameter | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substrat | Safir |
| GaN lagtykkelse | 0,5 μm - 10 μm |
| GaN Type/Doping | N-type (P-type tilgjengelig på forespørsel) |
| GaN Krystallorientering | <0001> |
| Poleringstype | Enkeltsidig polert (SSP), dobbeltsidig polert (DSP) |
| Al2O3 tykkelse | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Total Thickness Variation) | ≤ 10 μm |
| Bue | ≤ 10 μm |
| Warp | ≤ 10 μm |
| Overflateareal | Brukbart overflateareal > 90 % |
Spørsmål og svar
Q1: Hva er de viktigste fordelene ved å bruke GaN fremfor tradisjonelle silisiumbaserte halvledere?
A1: GaN tilbyr flere betydelige fordeler i forhold til silisium, inkludert et bredere båndgap, som gjør at det kan håndtere høyere sammenbruddsspenninger og operere effektivt ved høyere temperaturer. Dette gjør GaN ideell for høy-effekt, høyfrekvente applikasjoner som RF-moduler, effektforsterkere og LED-er. GaNs evne til å håndtere høyere strømtettheter muliggjør også mindre og mer effektive enheter sammenlignet med silisiumbaserte alternativer.
Q2: Kan GaN på Sapphire wafere brukes i MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) applikasjoner?
A2: Ja, GaN on Sapphire wafere er egnet for MEMS-applikasjoner, spesielt der høy effekt, temperaturstabilitet og lav støy er nødvendig. Materialets holdbarhet og effektivitet i høyfrekvente miljøer gjør det ideelt for MEMS-enheter som brukes i trådløs kommunikasjon, sensing og radarsystemer.
Q3: Hva er de potensielle bruksområdene til GaN i trådløs kommunikasjon?
A3: GaN er mye brukt i RF-frontend-moduler for trådløs kommunikasjon, inkludert 5G-infrastruktur, radarsystemer og jammere. Dens høye effekttetthet og termiske ledningsevne gjør den perfekt for høyfrekvente enheter med høy effekt, noe som muliggjør bedre ytelse og mindre formfaktorer sammenlignet med silisiumbaserte løsninger.
Q4: Hva er ledetidene og minimumsbestillingsmengdene for GaN på Sapphire wafere?
A4: Ledetider og minimumsbestillingsmengder varierer avhengig av waferstørrelse, GaN-tykkelse og spesifikke kundekrav. Vennligst kontakt oss direkte for detaljerte priser og tilgjengelighet basert på dine spesifikasjoner.
Q5: Kan jeg få tilpasset GaN-lagtykkelse eller dopingnivåer?
A5: Ja, vi tilbyr tilpasning av GaN-tykkelse og dopingnivåer for å møte spesifikke bruksbehov. Gi oss beskjed om dine ønskede spesifikasjoner, så gir vi en skreddersydd løsning.
Detaljert diagram
