Galliumnitrid (GaN) epitaksial dyrket på safirskiver 4 tommer og 6 tommer for MEMS
Egenskaper til GaN på safirskiver
● Høy effektivitet:GaN-baserte enheter gir fem ganger mer strøm enn silisiumbaserte enheter, noe som forbedrer ytelsen i ulike elektroniske applikasjoner, inkludert RF-forsterkning og optoelektronikk.
● Bredt båndgap:Det brede båndgapet til GaN muliggjør høy effektivitet ved høye temperaturer, noe som gjør den ideell for høyeffekts- og høyfrekvente applikasjoner.
● Holdbarhet:GaNs evne til å håndtere ekstreme forhold (høye temperaturer og stråling) sikrer langvarig ytelse i tøffe miljøer.
●Liten størrelse:GaN muliggjør produksjon av mer kompakte og lette enheter sammenlignet med tradisjonelle halvledermaterialer, noe som muliggjør mindre og kraftigere elektronikk.
Abstrakt
Galliumnitrid (GaN) er i ferd med å bli den foretrukne halvlederen for avanserte applikasjoner som krever høy effekt og effektivitet, for eksempel RF-frontmoduler, høyhastighetskommunikasjonssystemer og LED-belysning. GaN-epitaksiale wafere, når de dyrkes på safirsubstrater, tilbyr en kombinasjon av høy termisk ledningsevne, høy gjennomslagsspenning og bred frekvensrespons, som er nøkkelen til optimal ytelse i trådløse kommunikasjonsenheter, radarer og jammere. Disse waferne er tilgjengelige i både 4-tommers og 6-tommers diameter, med varierende GaN-tykkelser for å møte ulike tekniske krav. GaNs unike egenskaper gjør den til en førsteklasses kandidat for fremtidens kraftelektronikk.
Produktparametere
| Produktfunksjon | Spesifikasjon |
| Waferdiameter | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Underlag | Safir |
| GaN-lagtykkelse | 0,5 μm–10 μm |
| GaN-type/doping | N-type (P-type tilgjengelig på forespørsel) |
| GaN-krystallorientering | <0001> |
| Poleringstype | Enkeltsidet polert (SSP), dobbeltsidet polert (DSP) |
| Al2O3 Tykkelse | 430 μm–650 μm |
| TTV (Total tykkelsesvariasjon) | ≤ 10 μm |
| Bue | ≤ 10 μm |
| Forvrengning | ≤ 10 μm |
| Overflateareal | Brukbart overflateareal > 90 % |
Spørsmål og svar
Q1: Hva er de viktigste fordelene med å bruke GaN fremfor tradisjonelle silisiumbaserte halvledere?
A1GaN tilbyr flere betydelige fordeler fremfor silisium, inkludert et bredere båndgap, som gjør at det kan håndtere høyere gjennomslagsspenninger og operere effektivt ved høyere temperaturer. Dette gjør GaN ideelt for høyeffekts- og høyfrekvente applikasjoner som RF-moduler, effektforsterkere og LED-er. GaNs evne til å håndtere høyere effekttettheter muliggjør også mindre og mer effektive enheter sammenlignet med silisiumbaserte alternativer.
Q2: Kan GaN på safirskiver brukes i MEMS-applikasjoner (mikroelektromekaniske systemer)?
A2Ja, GaN på safirskiver er egnet for MEMS-applikasjoner, spesielt der det kreves høy effekt, temperaturstabilitet og lav støy. Materialets holdbarhet og effektivitet i høyfrekvente miljøer gjør det ideelt for MEMS-enheter som brukes i trådløs kommunikasjon, sensorer og radarsystemer.
Q3: Hva er de potensielle bruksområdene for GaN innen trådløs kommunikasjon?
A3GaN er mye brukt i RF-frontmoduler for trådløs kommunikasjon, inkludert 5G-infrastruktur, radarsystemer og jammere. Den høye effekttettheten og varmeledningsevnen gjør den perfekt for høyfrekvente enheter med høy effekt, noe som muliggjør bedre ytelse og mindre formfaktorer sammenlignet med silisiumbaserte løsninger.
Q4: Hva er leveringstidene og minimumsbestillingsmengdene for GaN på Sapphire-wafere?
A4Leveringstider og minimumsbestillingsmengder varierer avhengig av waferstørrelse, GaN-tykkelse og spesifikke kundekrav. Ta kontakt med oss direkte for detaljerte priser og tilgjengelighet basert på dine spesifikasjoner.
Q5: Kan jeg få tilpasset GaN-lagtykkelse eller dopingnivåer?
A5Ja, vi tilbyr tilpasning av GaN-tykkelse og dopingnivåer for å møte spesifikke applikasjonsbehov. Gi oss beskjed om dine ønskede spesifikasjoner, så tilbyr vi en skreddersydd løsning.
Detaljert diagram
