8 tommer SiC Produksjonskvalitet wafer 4H-N SiC substrat

Kort beskrivelse:

8-tommers SiC-substrater brukes i elektroniske enheter med høy effekt, slik som strøm-MOSFET-er (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), Schottky-dioder og andre krafthalvlederenheter.


Produkt detalj

Produktetiketter

Følgende tabell viser spesifikasjonene til våre 8-tommers SiC-skiver:

8-tommers N-type SiC DSP-spesifikasjoner

Antall Punkt Enhet Produksjon Forskning Dummy
1:parametre
1.1 polytype -- 4H 4H 4H
1.2 overflateorientering ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2: Elektrisk parameter
2.1 dopingmiddel -- n-type nitrogen n-type nitrogen n-type nitrogen
2.2 resistivitet ohm ·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3: Mekanisk parameter
3.1 diameter mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 tykkelse μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Hakk orientering ° [1-100]±5 [1-100]±5 [1-100]±5
3.4 Hakkdybde mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 LTV μm ≤5 (10 mm*10 mm) ≤5 (10 mm*10 mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Bue μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Warp μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4: Struktur
4.1 mikrorørtetthet ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 metallinnhold atomer/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10 000 NA
5.Front kvalitet
5.1 front -- Si Si Si
5.2 overflatefinish -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 partikkel ea/wafer ≤100(størrelse≥0,3μm) NA NA
5.4 ripe ea/wafer ≤5,Totallengde≤200mm NA NA
5.5 Kant
spon/innrykk/sprekker/flekker/forurensning
-- Ingen Ingen NA
5.6 Polytype områder -- Ingen Areal ≤10 % Areal ≤30 %
5.7 frontmerking -- Ingen Ingen Ingen
6: Ryggkvalitet
6.1 bakre finish -- C-ansikt MP C-ansikt MP C-ansikt MP
6.2 ripe mm NA NA NA
6.3 Ryggdefekter kant
sjetonger/innrykk
-- Ingen Ingen NA
6.4 Ruhet i ryggen nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Ryggmerking -- Hakk Hakk Hakk
7:kant
7.1 kant -- Chamfer Chamfer Chamfer
8: Pakke
8.1 emballasje -- Epi-klar med vakuum
emballasje
Epi-klar med vakuum
emballasje
Epi-klar med vakuum
emballasje
8.2 emballasje -- Multi-wafer
kassettemballasje
Multi-wafer
kassettemballasje
Multi-wafer
kassettemballasje

Detaljert diagram

asd (1)
asd (2)
asd (3)

  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss