8-tommers SiC-produksjonskvalitetswafer 4H-N SiC-substrat
Tabellen nedenfor viser spesifikasjonene til våre 8-tommers SiC-wafere:
| Spesifikasjoner for 8-tommers N-type SiC DSP | |||||
| Tall | Punkt | Enhet | Produksjon | Forske | Dummy |
| 1:parametere | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | overflateorientering | ° | <11–20>4±0,5 | <11–20>4±0,5 | <11–20>4±0,5 |
| 2: Elektrisk parameter | |||||
| 2.1 | dopant | -- | n-type nitrogen | n-type nitrogen | n-type nitrogen |
| 2.2 | resistivitet | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3: Mekanisk parameter | |||||
| 3.1 | diameter | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | tykkelse | mikrometer | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Hakkretning | ° | [1–100]±5 | [1–100]±5 | [1–100]±5 |
| 3.4 | Hakkdybde | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3,5 | LTV | mikrometer | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤10 (10 mm * 10 mm) |
| 3.6 | TTV | mikrometer | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Bue | mikrometer | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3,8 | Forvrengning | mikrometer | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4: Struktur | |||||
| 4.1 | mikrorørtetthet | stk/cm² | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metallinnhold | atomer/cm² | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | stk/cm² | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Borderline personlighetsforstyrrelse | stk/cm² | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4,5 | TED | stk/cm² | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Frontkvalitet | |||||
| 5.1 | front | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | overflatefinish | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | partikkel | stk/vaffel | ≤100 (størrelse ≥0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | ripe | stk/vaffel | ≤5, total lengde ≤200 mm | NA | NA |
| 5,5 | Kant hakk/hakk/sprekker/flekker/forurensning | -- | Ingen | Ingen | NA |
| 5.6 | Polytypeområder | -- | Ingen | Areal ≤10% | Areal ≤30% |
| 5.7 | frontmerking | -- | Ingen | Ingen | Ingen |
| 6: Ryggkvalitet | |||||
| 6.1 | bakre finish | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | ripe | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Bakre defekter i kanten hakk/fordypninger | -- | Ingen | Ingen | NA |
| 6.4 | Ruhet i ryggen | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6,5 | Bakmerking | -- | Hakk | Hakk | Hakk |
| 7:kant | |||||
| 7.1 | kant | -- | Avfasing | Avfasing | Avfasing |
| 8: Pakke | |||||
| 8.1 | emballasje | -- | Epi-klar med vakuum emballasje | Epi-klar med vakuum emballasje | Epi-klar med vakuum emballasje |
| 8.2 | emballasje | -- | Multi-wafer kassettemballasje | Multi-wafer kassettemballasje | Multi-wafer kassettemballasje |
Detaljert diagram
Skriv meldingen din her og send den til oss