6-tommers ledende SiC-komposittsubstrat 4H Diameter 150 mm Ra≤0,2 nm Warp≤35 μm

Kort beskrivelse:

Drevet av halvlederindustriens jakt på høyere ytelse og lavere kostnader, har det 6-tommers ledende SiC-komposittsubstratet dukket opp. Gjennom innovativ materialkomposittteknologi oppnår denne 6-tommers waferen 85 % av ytelsen til tradisjonelle 8-tommers wafere, mens den bare koster 60 % så mye. Strømforsyninger i hverdagsapplikasjoner som nye ladestasjoner for energikjøretøy, 5G-basestasjonsstrømmoduler og til og med frekvensomformere i premium husholdningsapparater bruker kanskje allerede substrater av denne typen. Vår patenterte flerlags epitaksiale vekstteknologi muliggjør flate komposittgrensesnitt på atomnivå på SiC-baser, med grensesnitttilstandstetthet under 1×10¹¹/cm²·eV – en spesifikasjon som har nådd internasjonalt ledende nivåer.

Send e-post til oss

Produktdetaljer

Produktetiketter

Tekniske parametere

Elementer	Produksjonkarakter	Dummykarakter
Diameter	6-8 tommer	6-8 tommer
Tykkelse	350/500±25,0 μm	350/500±25,0 μm
Polytype	4H	4H
Resistivitet	0,015–0,025 ohm·cm	0,015–0,025 ohm·cm
TTV	≤5 μm	≤20 μm
Forvrengning	≤35 μm	≤55 μm
Ruhet foran (Si-flate)	Ra≤0,2 nm (5 μm × 5 μm)	Ra≤0,2 nm (5 μm × 5 μm)

Viktige funksjoner

1. Kostnadsfordel: Vårt 6-tommers ledende SiC-komposittsubstrat benytter proprietær "gradert bufferlag"-teknologi som optimaliserer materialsammensetningen for å redusere råmaterialkostnadene med 38 % samtidig som den opprettholder utmerket elektrisk ytelse. Faktiske målinger viser at 650 V MOSFET-enheter som bruker dette substratet oppnår en reduksjon på 42 % i kostnad per arealenhet sammenlignet med konvensjonelle løsninger, noe som er viktig for å fremme bruk av SiC-enheter i forbrukerelektronikk.
2. Utmerkede ledende egenskaper: Gjennom presise nitrogendopingskontrollprosesser oppnår vårt 6-tommers ledende SiC-komposittsubstrat en ultralav resistivitet på 0,012–0,022Ω·cm, med variasjon kontrollert innenfor ±5 %. Det er verdt å merke seg at vi opprettholder resistivitetseinsformethet selv innenfor 5 mm kantområdet på waferen, noe som løser et langvarig kanteffektproblem i bransjen.
3. Termisk ytelse: En 1200V/50A-modul utviklet med vårt substrat viser bare en temperaturøkning på 45℃ i koblingspunktet over omgivelsestemperaturen ved full belastning – 65℃ lavere enn sammenlignbare silisiumbaserte enheter. Dette muliggjøres av vår komposittstruktur med «3D-termisk kanal» som forbedrer lateral varmeledningsevne til 380W/m·K og vertikal varmeledningsevne til 290W/m·K.
4. Prosesskompabilitet: For den unike strukturen til 6-tommers ledende SiC-komposittsubstrater, utviklet vi en matchende stealth-laser-dicing-prosess som oppnår en skjærehastighet på 200 mm/s samtidig som den kontrollerer kantavskalling til under 0,3 μm. I tillegg tilbyr vi forhåndsforniklede substratalternativer som muliggjør direkte liming av dyser, noe som sparer kundene for to prosesstrinn.

Hovedapplikasjoner

Kritisk smartnettutstyr:

I transmisjonssystemer for ultrahøyspent likestrøm (UHVDC) som opererer ved ±800 kV, viser IGCT-enheter som bruker våre 6-tommers ledende SiC-komposittsubstrater bemerkelsesverdige ytelsesforbedringer. Disse enhetene oppnår 55 % reduksjon i koblingstap under kommuteringsprosesser, samtidig som de øker den totale systemeffektiviteten til over 99,2 %. Substratenes overlegne varmeledningsevne (380 W/m·K) muliggjør kompakte omformerdesign som reduserer transformatorstasjonens fotavtrykk med 25 % sammenlignet med konvensjonelle silisiumbaserte løsninger.

Nye drivlinjer for energikjøretøy:

Drivsystemet som bruker våre 6-tommers ledende SiC-komposittsubstrater, oppnår en enestående invertereffekttetthet på 45 kW/L – en forbedring på 60 % i forhold til deres tidligere 400 V silisiumbaserte design. Mest imponerende er det at systemet opprettholder 98 % effektivitet over hele driftstemperaturområdet fra -40 ℃ til +175 ℃, og løser dermed ytelsesutfordringene i kaldt vær som har plaget bruken av elbiler i nordlige klimaer. Testing i praksis viser en økning på 7,5 % i vinterrekkevidden for kjøretøy utstyrt med denne teknologien.

Industrielle variable frekvensomformere:

Bruken av våre substrater i intelligente kraftmoduler (IPM-er) for industrielle servosystemer forvandler produksjonsautomatisering. I CNC-maskineringssentre leverer disse modulene 40 % raskere motorrespons (reduserer akselerasjonstiden fra 50 ms til 30 ms) samtidig som de reduserer elektromagnetisk støy med 15 dB til 65 dB (A).

Forbrukerelektronikk:

Forbrukerelektronikkrevolusjonen fortsetter med våre substrater som muliggjør neste generasjons 65W GaN-hurtigladere. Disse kompakte strømadapterne oppnår 30 % volumreduksjon (ned til 45 cm³) samtidig som de opprettholder full effekt, takket være de overlegne koblingsegenskapene til SiC-baserte design. Termografi viser maksimale kabinetttemperaturer på bare 68 °C under kontinuerlig drift – 22 °C kaldere enn konvensjonelle design – noe som forbedrer produktets levetid og sikkerhet betydelig.

XKH-tilpasningstjenester

XKH tilbyr omfattende tilpasningsstøtte for 6-tommers ledende SiC-komposittsubstrater:

Tykkelsestilpasning: Alternativer inkludert spesifikasjoner på 200 μm, 300 μm og 350 μm
2. Resistivitetskontroll: Justerbar n-type dopingkonsentrasjon fra 1 × 10¹⁸ til 5 × 10¹⁸ cm⁻³

3. Krystallorientering: Støtte for flere orienteringer, inkludert (0001) utenfor aksen 4° eller 8°

4. Testtjenester: Komplette testrapporter for parametere på wafernivå

Vår nåværende ledetid fra prototyping til masseproduksjon kan være så kort som 8 uker. For strategiske kunder tilbyr vi dedikerte prosessutviklingstjenester for å sikre perfekt samsvar med enhetskrav.