2 tommers silisiumkarbidskiver 6H eller 4H N-type eller halvisolerende SiC-substrater

4H SiC wafer N-type
Diameter: 2 tommer 50,8 mm | 4 tommer 100 mm | 6 tommer 150 mm
Orientering: utenfor aksen 4,0˚ mot <1120> ± 0,5˚
Resistivitet: < 0,1 ohm.cm
Ruhet: Si-face CMP Ra <0,5nm, C-face optisk polering Ra <1 nm

4H SiC wafer Halvisolerende
Diameter: 2 tommer 50,8 mm | 4 tommer 100 mm | 6 tommer 150 mm
Orientering: på aksen {0001} ± 0,25˚
Resistivitet: >1E5 ohm.cm
Ruhet: Si-face CMP Ra <0,5nm, C-face optisk polering Ra <1 nm

1. 5G-infrastruktur -- kommunikasjonsstrømforsyning.
Kommunikasjonsstrømforsyning er energibasen for server- og basestasjonskommunikasjon. Det gir elektrisk energi til forskjellige overføringsutstyr for å sikre normal drift av kommunikasjonssystemet.

2. Ladehaug av nye energikjøretøyer -- kraftmodul til ladehaug.
Den høye effektiviteten og høye kraften til ladebunkens kraftmodul kan realiseres ved å bruke silisiumkarbid i ladebunkens kraftmodul, for å forbedre ladehastigheten og redusere ladekostnadene.

3. Stort datasenter, industrielt internett -- serverstrømforsyning.
Serverens strømforsyning er serverens energibibliotek. Serveren gir strøm for å sikre normal drift av serversystemet. Bruken av silisiumkarbidkraftkomponenter i serverstrømforsyningen kan forbedre strømtettheten og effektiviteten til serverstrømforsyningen, redusere volumet av datasenteret i det hele tatt, redusere de totale byggekostnadene til datasenteret og oppnå høyere miljøvennlighet effektivitet.

4. Uhv - Anvendelse av fleksible overføring DC effektbrytere.

5. Intercity høyhastighets jernbane og intercity jernbane transitt -- trekkraftomformere, kraftelektroniske transformatorer, hjelpeomformere, hjelpestrømforsyninger.