2-tommers silisiumkarbidskiver 6H eller 4H N-type eller halvisolerende SiC-substrater

4H SiC-wafer av N-typen
Diameter: 2 tommer 50,8 mm | 4 tommer 100 mm | 6 tommer 150 mm
Orientering: utenfor aksen 4,0˚ mot <1120> ± 0,5˚
Resistivitet: < 0,1 ohm.cm
Ruhet: Si-flate CMP Ra <0,5 nm, C-flate optisk polering Ra <1 nm

4H SiC-wafer halvisolerende
Diameter: 2 tommer 50,8 mm | 4 tommer 100 mm | 6 tommer 150 mm
Orientering: på akse {0001} ± 0,25˚
Resistivitet: >1E5 ohm.cm
Ruhet: Si-flate CMP Ra <0,5 nm, C-flate optisk polering Ra <1 nm

1. 5G-infrastruktur -- kommunikasjonsstrømforsyning.
Kommunikasjonsstrømforsyningen er energibasen for kommunikasjon mellom servere og basestasjoner. Den forsyner diverse overføringsutstyr med elektrisk energi for å sikre normal drift av kommunikasjonssystemet.

2. Ladehaug for nye energikjøretøyer -- ladehaugens kraftmodul.
Den høye effektiviteten og høye effekten til ladepælens kraftmodul kan oppnås ved å bruke silisiumkarbid i ladepælens kraftmodul, for å forbedre ladehastigheten og redusere ladekostnadene.

3. Stort datasenter, industrielt internett -- serverstrømforsyning.
Serverens strømforsyning er serverens energibibliotek. Serveren sørger for strøm for å sikre normal drift av serversystemet. Bruk av silisiumkarbid-strømkomponenter i serverens strømforsyning kan forbedre effekttettheten og effektiviteten til serverens strømforsyning, redusere volumet til datasenteret generelt, redusere de totale byggekostnadene for datasenteret og oppnå høyere miljøeffektivitet.

4. Uhv - Bruk av fleksible DC-brytere for transmisjon.

5. Intercity høyhastighetstog og intercity jernbanetransport -- trekktransformatorer, kraftelektroniske transformatorer, hjelpeomformere, hjelpestrømforsyninger.