Den stigende stjernen til tredje generasjons halvleder: Galliumnitrid flere nye vekstpunkter i fremtiden

Sammenlignet med silisiumkarbidenheter vil galliumnitridkraftenheter ha flere fordeler i scenarier der effektivitet, frekvens, volum og andre omfattende aspekter kreves samtidig, slik som galliumnitridbaserte enheter har blitt brukt med suksess innen hurtiglading på en stor skala.Med utbruddet av nye nedstrømsapplikasjoner, og det kontinuerlige gjennombruddet av galliumnitrid-substratprepareringsteknologi, forventes GaN-enheter å fortsette å øke i volum, og vil bli en av nøkkelteknologiene for kostnadsreduksjon og effektivitet, bærekraftig grønn utvikling.

For tiden har tredje generasjon halvledermaterialer blitt en viktig del av strategisk fremvoksende industri, og er også i ferd med å bli det strategiske ledende punktet for å gripe neste generasjons informasjonsteknologi, energisparing og utslippsreduksjon og nasjonal forsvarssikkerhetsteknologi.Blant dem er galliumnitrid (GaN) et av de mest representative tredjegenerasjons halvledermaterialene som et halvledermateriale med bred båndgap med et båndgap på 3,4eV.

Den 3. juli strammet Kina inn eksporten av gallium- og germaniumrelaterte gjenstander, som er en viktig politikkjustering basert på den viktige egenskapen til gallium, et sjeldent metall, som "det nye kornet i halvlederindustrien", og dets brede anvendelsesfordeler i halvledermaterialer, ny energi og andre felt.I lys av denne politikkendringen vil denne artikkelen diskutere og analysere galliumnitrid fra aspektene ved preparatteknologi og utfordringer, nye vekstpunkter i fremtiden og konkurransemønster.

En kort introduksjon:
Galliumnitrid er et slags syntetisk halvledermateriale, som er en typisk representant for tredje generasjon halvledermaterialer.Sammenlignet med tradisjonelle silisiummaterialer har galliumnitrid (GaN) fordelene med stort båndgap, sterkt elektrisk nedbrytningsfelt, lav motstand mot motstand, høy elektronmobilitet, høy konverteringseffektivitet, høy varmeledningsevne og lavt tap.

Galliumnitrid enkeltkrystall er en ny generasjon halvledermaterialer med utmerket ytelse, som kan brukes mye i kommunikasjon, radar, forbrukerelektronikk, bilelektronikk, kraftenergi, industriell laserbehandling, instrumentering og andre felt, så utviklingen og masseproduksjonen er fokus for oppmerksomheten til land og bransjer rundt om i verden.

Anvendelse av GaN

1--5G kommunikasjonsbasestasjon
Trådløs kommunikasjonsinfrastruktur er det viktigste bruksområdet for galliumnitrid RF-enheter, og står for 50 %.
2--Høy strømforsyning
"Dobbelhøyde"-funksjonen til GaN har stort penetrasjonspotensial i høyytelses elektroniske forbrukerenheter, som kan oppfylle kravene til hurtiglading og ladebeskyttelsesscenarier.
3--Ny energibil
Fra et praktisk anvendelsessynspunkt er dagens tredjegenerasjons halvlederenheter på bilen hovedsakelig silisiumkarbidenheter, men det er egnede galliumnitridmaterialer som kan bestå bilreguleringssertifiseringen av kraftenhetsmoduler, eller andre egnede emballasjemetoder, vil fortsatt bli akseptert av hele anlegget og OEM-produsenter.
4--Datasenter
GaN-krafthalvledere brukes hovedsakelig i PSU-strømforsyningsenheter i datasentre.

Oppsummert, med utbruddet av nye nedstrømsapplikasjoner og kontinuerlige gjennombrudd i galliumnitrid-substratprepareringsteknologi, forventes GaN-enheter å fortsette å øke i volum, og vil bli en av nøkkelteknologiene for kostnadsreduksjon og effektivitet og bærekraftig grønn utvikling.