Den 26. kunngjorde Power Cube Semi den vellykkede utviklingen av Sør-Koreas første 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET-halvleder.
Sammenlignet med eksisterende Si (Silisium)-baserte halvledere, kan SiC (Silisiumkarbid) tåle høyere spenninger, og blir derfor hyllet som neste generasjons enhet som leder fremtiden for krafthalvledere.Det fungerer som en avgjørende komponent som kreves for å introdusere banebrytende teknologier, som spredning av elektriske kjøretøy og utvidelse av datasentre drevet av kunstig intelligens.
Power Cube Semi er et fabelløst selskap som utvikler krafthalvlederenheter i tre hovedkategorier: SiC (Silisiumkarbid), Si (Silisium) og Ga2O3 (Gallium Oxide).Nylig brukte og solgte selskapet Schottky Barrier Diodes (SBD-er) med høy kapasitet til et globalt elektrisk kjøretøyselskap i Kina, og fikk anerkjennelse for sin halvlederdesign og -teknologi.
Utgivelsen av 2300V SiC MOSFET er bemerkelsesverdig som den første slike utviklingssaken i Sør-Korea.Infineon, et globalt krafthalvlederselskap basert i Tyskland, kunngjorde også lanseringen av sitt 2000V-produkt i mars, men uten et 2300V-produktutvalg.
Infineons 2000V CoolSiC MOSFET, som bruker TO-247PLUS-4-HCC-pakken, oppfyller kravet om økt effekttetthet blant designere, og sikrer systemets pålitelighet selv under strenge høyspennings- og svitsjefrekvensforhold.
CoolSiC MOSFET tilbyr en høyere likestrømskoblingsspenning, noe som muliggjør effektøkning uten å øke strømmen.Det er den første diskrete silisiumkarbidenheten på markedet med en sammenbruddsspenning på 2000V, som bruker TO-247PLUS-4-HCC-pakken med en krypeavstand på 14 mm og en klaring på 5,4 mm.Disse enhetene har lavt svitsjetap og er egnet for applikasjoner som solcellestrenginvertere, energilagringssystemer og lading av elektriske kjøretøy.
CoolSiC MOSFET 2000V produktserien er egnet for høyspente DC-bussystemer opp til 1500V DC.Sammenlignet med 1700V SiC MOSFET gir denne enheten tilstrekkelig overspenningsmargin for 1500V DC-systemer.CoolSiC MOSFET tilbyr en terskelspenning på 4,5V og er utstyrt med robuste kroppsdioder for hard kommutering.Med .XT-tilkoblingsteknologi gir disse komponentene utmerket termisk ytelse og sterk fuktmotstand.
I tillegg til 2000V CoolSiC MOSFET, vil Infineon snart lansere komplementære CoolSiC dioder pakket i TO-247PLUS 4-pinners og TO-247-2 pakker i henholdsvis tredje kvartal 2024 og siste kvartal 2024.Disse diodene er spesielt egnet for solenergiapplikasjoner.Matchende portdriver-produktkombinasjoner er også tilgjengelige.
CoolSiC MOSFET 2000V produktserien er nå tilgjengelig på markedet.Videre tilbyr Infineon passende evalueringstavler: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Utviklere kan bruke dette kortet som en presis generell testplattform for å evaluere alle CoolSiC MOSFET-er og dioder vurdert til 2000V, så vel som EiceDRIVER kompakte enkanals isolasjonsportdriver 1ED31xx produktserie gjennom dual-puls eller kontinuerlig PWM-drift.
Gung Shin-soo, teknologisjef for Power Cube Semi, uttalte: "Vi var i stand til å utvide vår eksisterende erfaring med utvikling og masseproduksjon av 1700V SiC MOSFET-er til 2300V.
Innleggstid: Apr-08-2024